英诺赛科与谷歌签订GaN供货协议

2月3日，英诺赛科官网发布公告，宣布旗下相关氮化镓（GaN）产品已完成谷歌AI硬件平台设计导入，并正式签订合规供货协议，彰显其在GaN领域的技术、性能及品质领先地位。

后续英诺赛科将聚焦AI服务器、数据中心等高增长领域，联动产业链伙伴推进产品商业化落地，同步跟进项目进展并按规则披露相关动态。

此前英诺赛科在AI及数据中心领域已斩获多项突破：2025年上半年，相关业务销售同比暴涨180%，100V GaN的48-12V应用进入量产并规模化交付；同年11月，作为国内唯一企业入选英伟达800VDC系统合作名单，GaN器件将适配英伟达新一代架构。其推出的100V增强型GaN功率器件实现大规模量产，功率密度提升20%、系统损耗降低超35%，适配AI服务器电源需求，同时发表论文阐述全GaN技术在800VDC架构中的应用，可高效完成800V至GPU所需1V的电压转换。

谷歌的大额布局为合作提供广阔空间，2025年以来其密集官宣全球数据中心及AI基础设施投资，总金额近千亿美元，覆盖美、德、印度等地区，同时推进±400V直流等新技术，向全集成数据中心解决方案演进。

当前，英伟达等龙头正推动数据中心电源架构向240V、400V、800V高压直流升级，GaN/SiC技术成为刚需。GaN可广泛应用于电源PFC、DC-DC等核心环节，能显著提升电源转换效率与功率密度，适配AI数据中心高算力、低能耗需求，市场应用空间持续扩大。英诺赛科凭借8英寸硅基GaN量产技术与稳定出货能力，进一步巩固赛道优势。

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